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Projet HIPAC

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R&D

Objet:

Encapsulation Haute Température pour composants semiconducteurs de puissance

 

Descriptif:

Encapsulation Haute Température pour composants semiconducteurs de puissance

Le projet HIPAC, financé par la Région Wallonne et soutenu par le pôle Mecatech, vise à développer de nouvelles technologies  d’encapsulation haute température de composants électroniques  de puissance : soudage ou frittage des puces ou des substrats et gels silicones de protection des puces. Ces composants seront basés sur les nouveaux dispositifs semiconducteurs à large bande que sont le Carbure de Silicium (SiC) et le Nitrure de Gallium (GaN), qui permettent un fonctionnement à des températures extrêmes et des pertes de commutation réduites, augmentant  ainsi l’efficacité énergétique des systèmes de conversion de puissance et réduisant le poids des convertisseurs embarqués dans l’aéronautique (avion plus électrique), l’automobile (véhicules électriques et hybrides) ou le ferroviaire (onduleur de traction ou convertisseurs  auxiliaires).

Ce consortium regroupe 4 acteurs à la pointe dans leur domaine :

-       CISSOID : coordinateur du projet et leader des composants électroniques haute température

-       DOW CORNING : leader de la production  des gels silicone pour l’électronique

-       UCL-IMAP : laboratoire des matériaux de l’Université catholique de Louvain-la-Neuve

-       CENEARO : centre de recherche de pointe en simulation numérique

Partenaires du projet : 

Cenaero

Indéfini

Cissoid

Indéfini

Dow Corning

Indéfini

UCL/Imap

Indéfini